コラボレーション技術

ミストCVD法で作製したIGZO/AlOx stack oxide TFTとその電気特性

　本研究所では、薄膜デバイス技術と大気圧薄膜成長技術を組み合わせた研究開発を進めている。
その手始めとして、ミストCVD法で絶縁膜(AlOx)を作製した後、活性層(IGZO)を作製し、薄膜トランジスターを形成した。

カーボンナノチューブ機能デバイスに関する研究。

　曲げられる・伸縮性を有する生体融合性の高いフレキシブルエレクトロニクスの実現に向けた研究として、カーボンナノチューブトランジスターの開発を進めています。ナノ構造材料である単層カーボンナノチューブ(CNT)半導体を用い、誘電泳動集積法によるCNTの配向技術、電界方向に配向したCNTアレイを機能層として用いたトランジスタの開発を行っております。将来的には、本技術を印刷・塗布法と組み合わせ、プリンテッドエレクトロニクスによる高性能デバイスの実現を目指します。(本研究は高知工科大学　環境理工学群　古沢研究室と連携して進めています。)