ミスト法で作製可能な薄膜
[1] 川原村敏幸 京都大学大学院工学研究科博士論文
− ミスト法で作製可能な薄膜 −
ミスト法は、大気圧下で汎用の試薬を用いて均質な薄膜を作製する事が可能な手法である[1]。これまでに、金属酸化物薄膜を中心として、酸化亜鉛(ZnO)[2]、酸化ガリウム(Ga2O3)[3,4]、酸化錫(SnO)、酸化インジウム(In2O3)、酸化鉄(Fe2O3)[5]、酸化マグネシウム(MgO)[6]等や、それらの混合材料である酸化亜鉛マグネシウム(ZnMgO)[7]や酸化インジウム錫(ITO)等の作製に成功している。また、有機薄膜の作製にも成功している[8]。 これらの薄膜については、各文献を参考して頂きたい。
[2] T.Kawaharamura, H.Nishinaka, and S.Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.47 (2008) pp.4669.
[3] D.Shinohara and S.Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.47 (2008) pp.7311.
[4] T.Kawaharamura, G.T.Dang, M.Furuta, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.51 (2012) pp.040207
[5] K.Kaneko, T.Nomura, I.Kakeya, and S.Fujita, Appl. Phys. Express, Vol.2 (2009) pp.075501.
[6] 川原村敏幸, 他, ITE Technical Report 35 No.4 (2011) IDY2011-3 pp.45.
[7] Y. Kamada, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.45 (2006) pp.L857.
[8] T. Ikenoue, H. Nishinaka, and S. Fujita, Thin Solid Films, Vol.520 (2012) pp.L857.
[3] D.Shinohara and S.Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.47 (2008) pp.7311.
[4] T.Kawaharamura, G.T.Dang, M.Furuta, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.51 (2012) pp.040207
[5] K.Kaneko, T.Nomura, I.Kakeya, and S.Fujita, Appl. Phys. Express, Vol.2 (2009) pp.075501.
[6] 川原村敏幸, 他, ITE Technical Report 35 No.4 (2011) IDY2011-3 pp.45.
[7] Y. Kamada, T. Kawaharamura, H. Nishinaka, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.45 (2006) pp.L857.
[8] T. Ikenoue, H. Nishinaka, and S. Fujita, Thin Solid Films, Vol.520 (2012) pp.L857.
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− Database −
・Properties of AlOx grown by mist CVD
・Properties of NiOx grown by mist CVD
・Properties of SiOx grown by mist CVD
・Basic problems of SiOx grown by mist CVD
・Impurity in the thin films grown by mist CVD
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